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| 化学品生产商 | ||||
| 产品分类 | 有机原料 >> 有机金属类化合物 >> 有机锆 |
|---|---|
| 产品名称 | 四(乙基甲氨基)锆 |
| 英文名 | Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium |
| 别名 | Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium; Tetrakis(methylethylamino) zirconium; Zirconium tetra(ethylmethylamide) |
| 分子结构 | ![]() |
| 分子式 | 4(C3H8N).Zr |
| 分子量 | 323.63 |
| CAS 登录号 | 175923-04-3 |
| EC 号码 | 623-196-5 |
| 分子行输入简码 SMILES | CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.[Zr+4] |
| 沸点 | 81 °C (0.1 mmHg) |
|---|---|
| 危险品标志 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 危害标签 | H225-H226-H261-H314-H315-H319-H335 说明 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 防护标签 | P210-P231+P232-P233-P240-P241-P242-P243-P260-P261-P264-P264+P265-P271-P280-P301+P330+P331-P302+P352-P302+P361+P354-P303+P361+P353-P304+P340-P305+P351+P338-P305+P354+P338-P316-P319-P321-P332+P317-P337+P317-P362+P364-P363-P370+P378-P402+P404-P403+P233-P403+P235-P405-P501 说明 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 危害分类 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDS | 化学品安全技术说明书参考文本 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
四(乙基甲基酰胺)锆的化学式为 Zr(NMe2Et)4,是锆的配位化合物。该化合物因其在各种化学应用中的作用及其独特的结构特性而闻名。它最早是在 20 世纪中叶作为金属酰胺配合物及其在有机金属化学中的应用研究的一部分而合成的。 四(乙基甲基酰胺)锆的合成涉及四氯化锆与乙基甲胺在合适碱存在下的反应。该反应导致氯化物配体被乙基甲基酰胺基团取代,形成最终的四配合物。该化合物的特点是锆中心被四个乙基甲基酰胺配体包围,这影响了其反应性和稳定性。 在应用方面,四(乙基甲基酰胺)锆主要用于化学气相沉积 (CVD) 领域,用于生产薄膜和涂层。它能够在相对较低的温度下分解,使其成为含锆薄膜沉积的理想前体,而含锆薄膜在各种电子和光学应用中都至关重要。该化合物在二氧化锆 (ZrO2) 薄膜沉积中的作用尤其受到重视,二氧化锆薄膜用于介电涂层、传感器以及半导体器件的保护层。 此外,四(乙基甲基酰胺)锆在先进材料和催化剂的开发中也发挥着重要作用。它与其他有机和无机化合物的反应性使合成具有定制特性的新材料成为可能。在催化剂开发中,它被用作促进各种化学反应(包括聚合和碳氢化合物转化)的锆基催化剂的前体。 该化合物的结构特征(包括其配体的性质和锆中心周围的配位环境)是正在进行的研究课题。了解这些特征有助于优化其应用并设计具有特定性能的新型锆基化合物。 总体而言,四(乙基甲基酰胺)锆代表了配位化学和材料科学的重大进步。它的发现和随后的应用促进了薄膜沉积、催化剂开发和材料合成的进步。 参考文献 2001. Alternating Layer Chemical Vapor Deposition (ALD) of Metal Silicates and Oxides for Gate Insulators. MRS Online Proceedings Library, 670. DOI: 10.1557/proc-670-k2.4 2023. Buffer Layers for Nonvolatile Ferroelectric Memory Based on Hafnium Oxide. Russian Microelectronics, 52(Suppl 2). DOI: 10.1134/s1063739723600486 2021. Optimization of substrate-selective atomic layer deposition of zirconia on electroplated copper using ethanol as both precursor reactant and surface pre-deposition treatment. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32(4). DOI: 10.1007/s10854-021-05267-0 |
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